2024.1.15—SCM样品检测实验一

SCM样品检测实验一

       SCM:扫描电容显微术(Scanning Capacitance Microscopy），SCM提供了一种直接测试样品中载流子浓度二维分布图像的方法，可以有效分辨纳米尺度下半导体器件中N型和P型掺杂区域及其界面。其基于接触模式通过超高频（1GHz)的探头读取针尖-样品之间的微分电容dC/dV，同时，通过反馈电路调整输出信号dV，确保输出的信号维持在一个稳定的dC/dV设定值。因此，SCM通过测量电容变化产生的高频谐振器的调制信号，给出二维载流子的分布。

       如下是使用SCM检测扫描面被E-Beam照射过的实验数据及结论：

实验目的：

        待检测SCM的截面，被SEM照射之后，是否会对SCM图像有影响？

实验数据：

新制备好的截面用SEM 1KV照射

1KV照射后截面SCM出图

实验过程解析：

       定点样品的制备，OM无法确定停靠精准情况进而会用SEM观察，但SEM照射后的积碳会给SCM图带来一定的影响，进而影响截面载流子分布的分析，故可用SCM扫描判断。

实验结论：

       E-beam照射，对SCM结果有一定的影响，故样品扫描SCM前不建议进SEM观测。