C-AFM是原子力显微镜的一种功能扩展。它是基于原子力显微镜基础上增加一个功能模块，在接触模式下，原子力显微镜的探针针尖以样品存在欧姆接触，如果我们采用导电探针，并在样品和探针间加一偏压，在扫描成像的过程中，实时地检测探针和样品间的电流变化，就可以得到样品不同区域的电导信息。 采用导电原子力显微镜，通过对被测样品表面进行一次扫描成像，即可同时获得样品的表面高低形貌图和电流大小分布图像，从而得到样品表面形貌和导电性分布及两者之间的对应关系。此外，还可以通过定点扫描获取某点的I-V曲线。
C-AFM分析手法：在做芯片失效分析中扮演着重要角色，针对失效热点区域及SB、SBL、WL、SWL、MWL、FBL、MBL、PBL、DFT等failure mode去层看VC无明显异常时，可在Via层及Contact层做C-AFM量测，进而精准测出PN结电流大小来推断是否有漏电及高阻情况。
2.1 单器件结构分析---Trench Powermos
SEM Cross Section Image (研磨截面)
Wet Stain SEM Image (无固定stain time)
SCM Data Image
