器件级别掺杂表征定性分析---SCM(扫描电容显微术)

SCM: 是基于接触模式下的测试方法,通过微波射频信号来探测AFM针尖与样品表面的电容变化,从而来表征半导体样品中的载流子分布情况。

       SCM: 量测样品电容随交变电压的变化率dC/dV,SCM为掺杂形态的定性分析,其信号会受到外在环境的影响,其颜色的变化仅代表样品信号的强弱,无法直接做浓度的判断。SCM可侦测浓度的范围为1E15~1E20atom/cm3。利用SCM对半导体器件进行电学表征,利用高空间分辨率进行电学特征表征是理解半导体器件功能的关键。扫描电容显微镜由于其非破坏性的扫描能力和高精度的纳米级特征测量,是表征半导体器件的有力方法。在半导体制造中,SCM提供有助于故障分析和设计改进的掺杂剂分布。 

如下是SCM实验数据图: