2024.1.15—AFM 模式：导电原子力显微镜（C-AFM）—转载

高分辨率电流和形貌成像

研究人员可对一系列研究和过程的导电率变化进行成像，这些研究和过程包括电缺陷表征以及对导电聚合物、半导体、纳米管甚至某些有机材料的探测。

导电原子力显微镜（C-AFM）以及相关模式隧穿原子力显微镜（TUNA）和PeakForce TUNA™是强大的电流感应技术，代表了布鲁克纳米电学表征模式系列的一部分。

C-AFM是源自“接触模式”的二次成像模式，可表征中等到低导电率和半导体材料的导电率变化。可用于对 2pA至1µA范围内的电流进行测量和成像，同时采集形貌信息。